Gửi tin nhắn
rongxing international trade co.,limited
các sản phẩm
các sản phẩm
Trang chủ > các sản phẩm > Chip IC khuếch đại > NCS20074DTBR2G Trình điều khiển MOSFET kép tốc độ cao dành cho MOSFET công suất và IGBT

NCS20074DTBR2G Trình điều khiển MOSFET kép tốc độ cao dành cho MOSFET công suất và IGBT

Thông tin chi tiết sản phẩm

Hàng hiệu: ON Semiconductor

Chứng nhận: ROHS

Số mô hình: NCS20074DTBR2G

Điều khoản thanh toán & vận chuyển

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1 cái

Giá bán: Negotiated

chi tiết đóng gói: Khay/Cuộn

Thời gian giao hàng: 3-15 ngày

Cổ phần: 8000

Điều khoản thanh toán: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Khả năng cung cấp: 1000 chiếc

Nhận giá tốt nhất
Điểm nổi bật:

Trình điều khiển MOSFET kép 1

,

2 MHz

,

Trình điều khiển MOSFET kép IGBT

Nhà sản xuất Số sản phẩm:
NCS20074DTBR2G
Số kênh:
2
dải điện áp đầu vào:
±15 V
Dải điện áp cung cấp:
4,5V đến 18V
Tốc độ quay:
0,3 V/μs
Đạt được sản phẩm băng thông:
1,2 MHz
Nhà sản xuất Số sản phẩm:
NCS20074DTBR2G
Số kênh:
2
dải điện áp đầu vào:
±15 V
Dải điện áp cung cấp:
4,5V đến 18V
Tốc độ quay:
0,3 V/μs
Đạt được sản phẩm băng thông:
1,2 MHz
NCS20074DTBR2G Trình điều khiển MOSFET kép tốc độ cao dành cho MOSFET công suất và IGBT

NCS20074DTBR2G - Trình điều khiển MOSFET kép tốc độ cao dành cho MOSFET công suất và IGBT

 

Tìm thông tin tại đây trong stock.xlsx

Giới thiệu:

NCS20074DTBR2G là trình điều khiển MOSFET kép tốc độ cao được thiết kế để điều khiển hai MOSFET kênh N hoặc IGBT trong cấu hình nửa cầu.Thời gian tăng giảm nhanh (điển hình 15ns) và dải điện áp đầu vào rộng (4,5V đến 18V) khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng chuyển đổi tần số cao.

 

Các ứng dụng:

Bộ chuyển đổi DC-DC, Truyền động động cơ, Biến tần

 

Thuộc tính sản phẩm:

Thuộc tính sản phẩm thông số kỹ thuật
Thương hiệu BẬT chất bán dẫn
Phạm vi điện áp cung cấp 4,5V đến 18V
Sản lượng hiện tại Đỉnh 4A
Thời gian Tăng/Giảm 15ns điển hình
Loại gói TSSOP-8
Nhiệt độ hoạt động -40°C đến 125°C

 

Nhiều sản phẩm hơn:

  1. NCV8402ASTT1G - Trình điều khiển MOSFET kép tốc độ cao
  2. NCP5181DT50RKG - Trình điều khiển MOSFET kép với chu kỳ làm việc 50%
  3. NCP5181DR2G - Trình điều khiển MOSFET kép tốc độ cao có bật
  4. NCP5106ADR2G - Trình điều khiển MOSFET nửa cầu điện áp cao
  5. NCV8401ASTT1G - Trình điều khiển Quad MOSFET có bật
  6. NCP5108ADR2G - Trình điều khiển MOSFET nửa cầu điện áp cao
  7. NCV8401STT1G - Trình điều khiển Quad MOSFET tốc độ cao
  8. NCP5182DR2G - Trình điều khiển MOSFET Half-Bridge tốc độ cao có bật
  9. NCP5111DR2G - Trình điều khiển MOSFET kép với chu kỳ làm việc 50%
  10. NCP51705DR2G - Trình điều khiển MOSFET Half-Bridge với Bootstrap tích hợp

NCS20074DTBR2G Trình điều khiển MOSFET kép tốc độ cao dành cho MOSFET công suất và IGBT 0NCS20074DTBR2G Trình điều khiển MOSFET kép tốc độ cao dành cho MOSFET công suất và IGBT 1NCS20074DTBR2G Trình điều khiển MOSFET kép tốc độ cao dành cho MOSFET công suất và IGBT 2

Câu hỏi thường gặp:

Câu hỏi 1: Điện áp tối đa mà NCS20074DTBR2G có thể xử lý là bao nhiêu?

Đ: NCS20074DTBR2G có điện áp đầu vào tối đa là 18V.

 

Câu hỏi 2: Dòng điện đầu ra của NCS20074DTBR2G là bao nhiêu?

Trả lời: NCS20074DTBR2G có thể cung cấp dòng điện đầu ra cực đại là 4A.

 

Câu hỏi 3: Loại gói của NCS20074DTBR2G là gì?

Đ: NCS20074DTBR2G có gói TSSOP-8.

 

Câu hỏi 4: Một số ứng dụng phổ biến của NCS20074DTBR2G là gì?

Trả lời: NCS20074DTBR2G thường được sử dụng trong bộ chuyển đổi DC-DC, ổ đĩa động cơ và bộ biến tần nguồn.

 

Câu hỏi 5: Phạm vi nhiệt độ hoạt động của NCS20074DTBR2G là bao nhiêu?

Trả lời: NCS20074DTBR2G có thể hoạt động ở nhiệt độ từ -40°C đến 125°C.