Gửi tin nhắn
rongxing international trade co.,limited
các sản phẩm
các sản phẩm
Trang chủ > các sản phẩm > Chip IC bộ nhớ > Chip IC bộ nhớ SDRAM di động 512Mbit K4X2H303PB-MXC6

Chip IC bộ nhớ SDRAM di động 512Mbit K4X2H303PB-MXC6

Thông tin chi tiết sản phẩm

Nguồn gốc: TSOP

Hàng hiệu: Samsung Electronics

Chứng nhận: ROHS

Số mô hình: K4X2H303PB-MXC6

Điều khoản thanh toán & vận chuyển

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1 cái

Giá bán: Negotiated

chi tiết đóng gói: Khay/Cuộn

Thời gian giao hàng: 3-15 ngày

Cổ phần: 8000

Điều khoản thanh toán: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Khả năng cung cấp: 1000 chiếc

Nhận giá tốt nhất
Điểm nổi bật:

Chip IC nhớ 512Mbit

,

Chip IC nhớ 166MHz

,

K4X2H303PB-MXC6

Nhà sản xuất Số sản phẩm:
K4X2H303PB-MXC6
Loại bộ nhớ:
SDRAM di động
Kích thước bộ nhớ:
512Mbit (64MB)
Tốc độ bộ nhớ:
166MHz
Cung cấp hiệu điện thế:
1,7V đến 1,95V
Loại gói:
FBGA 60 bóng
Nhà sản xuất Số sản phẩm:
K4X2H303PB-MXC6
Loại bộ nhớ:
SDRAM di động
Kích thước bộ nhớ:
512Mbit (64MB)
Tốc độ bộ nhớ:
166MHz
Cung cấp hiệu điện thế:
1,7V đến 1,95V
Loại gói:
FBGA 60 bóng
Chip IC bộ nhớ SDRAM di động 512Mbit K4X2H303PB-MXC6

K4X2H303PB-MXC6 - Bộ nhớ SDRAM di động 512Mbit

 

Tìm thông tin ở đây trong stock.xlsx

Lời giới thiệu:

K4X2H303PB-MXC6 là một mô-đun bộ nhớ SDRAM di động 512Mbit được thiết kế để sử dụng trong một loạt các ứng dụng điện toán di động và sử dụng nhiều bộ nhớ.và tương thích, làm cho nó trở thành một giải pháp lý tưởng cho các ứng dụng bộ nhớ đòi hỏi.làm cho nó phù hợp để sử dụng trong các thiết bị di động và các ứng dụng nhạy cảm với điện năng khác.

 

Ứng dụng:

Thiết bị di động, tablet, điện thoại thông minh

 

Đặc điểm sản phẩm:

Thương hiệu Samsung Electronics
Loại bộ nhớ SDRAM di động
Kích thước bộ nhớ 512Mbit (64MB)
Tốc độ nhớ 166MHz
Điện áp cung cấp 1.7V đến 1.95V
Loại gói FBGA 60 quả bóng

 

Thêm sản phẩm:

  1. MT48LC32M16A2P-75IT - Bộ nhớ SDRAM 512Mbit
  2. W9864G6KH-6 - Bộ nhớ SDRAM di động 512Mbit
  3. K4S56163LF-YL75 - Bộ nhớ SDRAM 512Mbit
  4. MT48LC16M16A2P-75IT - Bộ nhớ SDRAM 256Mbit
  5. K4B2G1646Q-BCMA - Bộ nhớ SDRAM di động 2Gbit
  6. K4B2G0846D-HYK0 - Bộ nhớ SDRAM di động 1Gbit
  7. K4B1G1646G-BCH9 - Bộ nhớ SDRAM di động 1Gbit
  8. IS43TR16128A-125KBLI - Bộ nhớ SDRAM di động 2Gbit
  9. K4B4G1646B-HYK0 - Bộ nhớ SDRAM di động 512Mbit
  10. MT48LC32M16A2P-7EITC - Bộ nhớ SDRAM 512Mbit

Chip IC bộ nhớ SDRAM di động 512Mbit K4X2H303PB-MXC6 0Chip IC bộ nhớ SDRAM di động 512Mbit K4X2H303PB-MXC6 1Chip IC bộ nhớ SDRAM di động 512Mbit K4X2H303PB-MXC6 2

FAQ:

Q1: Loại bộ nhớ của K4X2H303PB-MXC6 là gì?

A: K4X2H303PB-MXC6 là một mô-đun bộ nhớ SDRAM di động.

Q2: Tốc độ bộ nhớ của K4X2H303PB-MXC6 là bao nhiêu?

A: K4X2H303PB-MXC6 có tốc độ bộ nhớ 166MHz.

Q3: Điện áp cung cấp của K4X2H303PB-MXC6 là bao nhiêu?

A: K4X2H303PB-MXC6 hoạt động với điện áp nguồn từ 1,7V đến 1,95V.

Q4: Capacity bộ nhớ của K4X2H303PB-MXC6 là bao nhiêu?

A: K4X2H303PB-MXC6 có dung lượng bộ nhớ 512Mbit (64MB).

Q5: Loại gói của K4X2H303PB-MXC6 là gì?

A: K4X2H303PB-MXC6 đi kèm trong một gói FBGA 60 quả bóng.

Q6: K4X2H303PB-MXC6 phù hợp với loại thiết bị nào?

A: K4X2H303PB-MXC6 phù hợp để sử dụng trong các thiết bị di động, máy tính bảng và điện thoại thông minh đòi hỏi hiệu suất và độ tin cậy cao cho các ứng dụng sử dụng nhiều bộ nhớ.